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大功率器件专用氮化镓单晶衬底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

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2英寸自支持氮化镓晶片(非掺)

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2英寸自支持氮化镓晶片(硅掺)

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4英寸自支持氮化镓晶片(铁掺)

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2英寸自支持氮化镓晶片(铁掺)

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5*10mm?非极性氮化镓自支持衬底M-plane(UID/N/SI)

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5*10mm?非极性氮化镓自支持衬底A-plane(UID/N/SI)

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专业的高质量氮化镓衬底供给商

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伟德国际官网致力于第三代半导体主题关键资料——氮化镓(GaN)单晶衬底的研发与产业化,,经过15年致力,,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的出产、实现了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,,此刻是国内和国际少数几家之一可能批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单元;;;氮化镓产品机能综合指标国际当先,,将来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势 。

伟德国际官网成立于2007年,,专一于高质量氮化镓半导体单晶资料的成长 。氮化镓是第三代半导体的代表,,它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通讯等产业的主题基础资料,,预计到将来将形成万亿美元以上的市场规模 。

2007

公司成立

500 +

服务客户

60 +

主题专利

50 +

约请汇报

10 亿+

总投资

产品利用

Applications ——

氮化镓是第三代半导体的代表,,它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通讯等产业的主题基础资料,,预计到将来将形成万亿美元以上的市场规模...

射频电子领域

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创新标杆十人谈丨对话伟德国际官网科技徐科::从尝试室到全球市场,,我们与信阳纳米新资料产业共舞

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伟德国际官网科技的GaN单晶衬底产品已累计服务500余家客户,,在蓝绿光半导体激光器领域获得了产品当先职位,,并正在射频电子、电力电子、新型显示三大领域持续加大布局 。
信阳伟德国际官网总部大楼建设正式启动

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2021年1月24日上午,,伟德国际官网总部大楼建设项目在信阳工业园区正式奠基 。园区党工委副书记、管委会主任丁立新,,中科院信阳纳米所书记、副所长(主持工作)邓强,,信阳市科技局原党组书记吴伟澎,,园区党工委委员、管委会副主任倪乾,,独墅湖科教创新区党工委书记许文清
典型GaN射频器件的工艺流程

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典型的GaN射频器件的加工工艺重要蕴含如下环节::外延成长-器件隔离-欧姆接触(制作源极、漏极)-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节 。
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